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极紫外掩模

信息来源:本站 | 发布日期: 2022-01-10 | 浏览量:
关键词:极紫外掩模

随着集成电路技术节点的不断减小,出现了以EUV (波长为13~15nm, 一般为13.5nm)为曝光光源的极紫外光刻技术。由于其曝光波长极短,这样的曝光环境下物质吸收性很强,传统的穿透式光刻掩模版不能继续使用,而要改成适应反射式光学系统多层堆叠结构的反射型掩模版,包括中间层、顶部覆盖层钌(Ru)和吸收层TaN等。其中,掩模中间层是由金属Mo和Si组成的多层膜结构,对极紫外线有较高的反射系数。由于13nm的极紫外线具有X射线光谱特性,可实现的反射微影过程的图形转移、传递几乎无失真,因此掩模的图形设计和相关工艺复杂程度可以得到相应降低。传统的穿透式光掩模与极紫外掩模的比较如图9-27所示。



对于极紫外掩模的制备,除了图形关键尺寸缩小带来的工艺挑战,在应用过程中的高热稳定性和抗辐射技术也需要重视。由于反射型掩模无法进行传统的蒙版(Pellicle) 保护,所以掩模的储存、运输及操作等非常困难。在此基础上,极紫外掩模在微影曝光端的应用,必须与光掩模检验、清洗和修补机台组合在一起,以避免使用过程中的污染或其他原因在芯片上造成的缺陷;而这将导致微影端工艺和设备的维护费用非常高,反过来这又促使掩模制造方抓紧对高温耐久的掩板蒙版的研究开发。


极紫外光刻技术最初是在2005年为了65nm芯片技术提出的,正是由于存在各种技术难点和超高资金投入门槛,尤其是始终未能开发出具有足够功率与

可靠性的EUV光源使光刻技术达到成本均衡的产率,使得其在集成电路应用的技术节点上相迟(比较公认的目标是7mm及以下)。随着集成电路7nm技术

代的来临,极紫外光刻技术即将在集成电路制造领域占据战略性的重要地位。



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