随着集成电路技术节点的不断减小，出现了以EUV (波长为13~15nm, 一般为13.5nm)为曝光光源的极紫外光刻技术。由于其曝光波长极短，这样的曝光环境下物质吸收性很强，传统的穿透式光刻掩模版不能继续使用，而要改成适应反射式光学系统多层堆叠结构的反射型掩模版，包括中间层、顶部覆盖层钌(Ru)和吸收层TaN等。其中，掩模中间层是由金属Mo和Si组成的多层膜结构，对极紫外线有较高的反射系数。由于13nm的极紫外线具有X射线光谱特性，可实现的反射微影过程的图形转移、传递几乎无失真，因此掩模的图形设计和相关工艺复杂程度可以得到相应降低。传统的穿透式光掩模与极紫外掩模的比较如图9-27所示。

对于极紫外掩模的制备，除了图形关键尺寸缩小带来的工艺挑战，在应用过程中的高热稳定性和抗辐射技术也需要重视。由于反射型掩模无法进行传统的蒙版(Pellicle) 保护，所以掩模的储存、运输及操作等非常困难。在此基础上，极紫外掩模在微影曝光端的应用，必须与光掩模检验、清洗和修补机台组合在一起，以避免使用过程中的污染或其他原因在芯片上造成的缺陷；而这将导致微影端工艺和设备的维护费用非常高，反过来这又促使掩模制造方抓紧对高温耐久的掩板蒙版的研究开发。

极紫外光刻技术最初是在2005年为了65nm芯片技术提出的，正是由于存在各种技术难点和超高资金投入门槛，尤其是始终未能开发出具有足够功率与

可靠性的EUV光源使光刻技术达到成本均衡的产率，使得其在集成电路应用的技术节点上相迟(比较公认的目标是7mm及以下)。随着集成电路7nm技术

代的来临，极紫外光刻技术即将在集成电路制造领域占据战略性的重要地位。