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硬掩模

信息来源:本站 | 发布日期: 2022-01-11 | 浏览量:
关键词:硬掩模

硬掩模是指用于刻蚀工艺的各类硬质半导体加工材料,它用来替代聚合物或其他有机“软”抗蚀材料(如光刻胶等)。它与光刻微影中作为母版使用的掩模版材料,分属于半导体产业中两个不同的工艺技术领域。图9-28所示的是硬掩模材料的应用示例。由于半导体芯片尺寸不断微缩,当图形透过一定厚度的光刻胶层向刻蚀层传递时,胶层图形的宽高比锐减使得刻蚀难度增加,刻蚀偏差、均匀度和侧壁角等都难以控制。


因此,加入相对减薄许多的硬质掩模层,使其作为图形传递的中间过渡层,将刻蚀流程转化为从胺层到较薄的硬掩模层,再从硬掩模层到刻蚀层的二重过程,刻蚀难度将大大降低,从而取得较为理想的刻蚀结果。这是目前半导体产业中较为常见且成熟的刻蚀工艺,一般硬掩模层通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)生成。



硬掩模材料的种类众多,除了上述的非晶碳层,还有Si02,或SiN等,其主要特点是厚度较薄、抗蚀性较好。与硬掩模对应的是软掩模(Soft Mask)材料,一般为厚胶层,习惯上直接称之为光刻胶。另外, 在某些场合,由于成品铬版光掩模材料是硬质的,有时也被称为硬掩模材料。



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