硬掩模是指用于刻蚀工艺的各类硬质半导体加工材料，它用来替代聚合物或其他有机“软”抗蚀材料(如光刻胶等)。它与光刻微影中作为母版使用的掩模版材料，分属于半导体产业中两个不同的工艺技术领域。图9-28所示的是硬掩模材料的应用示例。由于半导体芯片尺寸不断微缩，当图形透过一定厚度的光刻胶层向刻蚀层传递时，胶层图形的宽高比锐减使得刻蚀难度增加，刻蚀偏差、均匀度和侧壁角等都难以控制。

因此，加入相对减薄许多的硬质掩模层，使其作为图形传递的中间过渡层，将刻蚀流程转化为从胺层到较薄的硬掩模层，再从硬掩模层到刻蚀层的二重过程，刻蚀难度将大大降低，从而取得较为理想的刻蚀结果。这是目前半导体产业中较为常见且成熟的刻蚀工艺，一般硬掩模层通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)生成。

硬掩模材料的种类众多，除了上述的非晶碳层，还有Si02,或SiN等，其主要特点是厚度较薄、抗蚀性较好。与硬掩模对应的是软掩模(Soft Mask)材料，一般为厚胶层，习惯上直接称之为光刻胶。另外， 在某些场合，由于成品铬版光掩模材料是硬质的，有时也被称为硬掩模材料。