射频(Radio Frequency, RF)信号指可以通过天线辐射到自由空间或从空间接收的高频交变电磁信号，频率范围通常在300kHz- 30GHz。 对射频信号进行滤波、功率放大、频率变换、调制/解调等处理的电路，就是射频电路。使用集成电路工艺加工实现的射频电路，称为射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit, RFIC)。

射频集成电路通常由低噪声放大器、滤波器、混频器、频率合成器、功率放大器等基本功能电路组成。射频发射和接收系统构成了无线通信、雷达探测、电视广播、导航等无线系统的信号发送与接收的载波通道。基带部分实现信号的滤波、数模转换和模/数转换，以及数字信号的处理等。典型射频集成电路系统的结构图如图5-33所示。

射频集成电路处理的信号的显著特点包括:①信号频率高:②具有一定的带宽，而且一般远小于载波频率;③天线接收的信号非常微弱，而驱动天线辐射的发射信号非常强，通常比接收信号大5~10个量级。这些特点使得射频集成电路的设计方法与其他类型的电路有很大不同。

早期的射频集成电路以GaAs工艺为主。1976 年研发出第一款GaAs射频集成电路芯片，GaAs 工艺得到了快速发展，同时也存在一些不足: ①成品率不高;②圆片尺寸相对较小，机械强度低，容易破碎:③散热性能不好;④与Si工艺不兼容;等等。

20世纪80年代以后，SiGe材料应运而生，较好地弥补了GaAs的不足。1987年首次报道了SiGe HBT ( Heterojunction Bipolar Transistor)。 1994 年研发出截止频率高于100GHz的SiGe HBT。此后，SiGe HBT得到了快速发展。近年来，GaN作为一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率、高禁带宽度和高击穿场强等特点;同时，功率密度可达GaAs的5倍以上，可显著提高输出功率，减小系统体积并降低成本。经过多年研发，目前，GaN射频功率器件已经进入实用阶段。

20世纪90年代以来，随着工艺尺寸的不断缩小，器件速度的不断提高，以及电路设计方法和技术的发展，CMOS工艺已成为射频集成电路的主流工艺。GaAs和SiGe工艺，因成本和集成度等因素，主要应用于功率放大器等。射频集成电路已广泛应用于无线通信、射频识别、导航、雷达等系统中。尤其是近10年来，个人移动通信的发展和普及，推动了射频集成电路的快速进步。

随着个人移动通信、物联网，以及半导体材料和工艺的持续发展，射频集成电路将向低成本、低功耗、大带宽、高速率，以及支持多模式、多频段、可重构、射频与基带单片集成等方向发展。