通常把频率为300MHz~ 300GHz，对应波长为1m-0. 1mm的电磁波称为微波。其进一步可分为4个波段，即分米波(波长范围1m- 100mm)、厘米波(波长范围100- 10mm)、毫米波(波长范围10- 1mm)和亚毫米波(波长范围1~0.1mm),其中毫米波的频率范围为30~ 300GHz。

低于30GHz的频段与射频频段重叠，通常称为射频频段;高于300CHz的频段，即亚毫米波，通常称为太赫兹(Tera Hertz, THz)频段。由此，微波频段通常指额率范围为30- 300GHz的毫米波频段，称为微波毫米波。

微波毫米波集成电路是指工作在微波毫米波频段的集成电路，具有放大、混频、滤波等功能，其在设计中要求更精确的元器件模型，甚至需要进行三维电磁场分析和计算。

微波毫米波集成电路通常含有带通滤波器、低噪声放大器、功率放大器、主放大器、预放大器、混频器、频率合成器和信频器等功能模块电路。微波毫米波收发系统与射频收发系统在系统结构上类似，但频率更高，带宽更大，因此电路设计难度更大。微波毫米波集成电路，根据实现形式，分为混合微波毫米波集成电路和单片微波毫米波集成电路。典型的微波毫米波集成电路系统的结构图如图5-34所示。

混合微波毫米波集成电路是在介质基片材料( 如氧化铝陶瓷、石英、蓝宝石等)上，采用厚膜工艺(如低温/高温烧结工艺、印刷工艺等)或者薄膜工艺( 如溅射工艺、电镀工艺等)制备出各种功能的电路拓扑图形，再将各种分立封装形式的元器件或者芯片安装到相应位置，组成的具有一定功能的微波毫米波集成电路。

单片微波毫米波集成电路是在半导体衬底(如Si、 SiGe、GaAs等)上，使用半导体工艺制备微波有源器件和无源元件，以及各种功能电路，具有高集成度、高可靠性和低成本等特点。

GaAs具有电子迁移率高、噪声性能好的特点。CaAs工艺是微波毫米波集成电路的主流工艺。SiGe 工艺具有更高的增益，以及更好的速度和噪声性能，成本也较GaAs工艺低，也是微波毫米波集成电路的常用工艺。近年来，CMOS工艺不断进步，已经满足高于100CHz频段的微波毫米波集成电路的速度要求，这也使得无线系统的射频前端与数字基带的单片集成成为可能。目前， 基于CMOS工艺的单片微波毫米波集成电路已进入快速发展阶段。

早期，微波电路多采用电子管、速调管等器件。随着半导体技术的发展，包括异质结双极晶体管、变容二极管和场效应管等在内的固态微波器件得到广泛应用。随后，系统越来越复杂，工作频率不断升高，分立器件的一致性难以满足系统要求。1976年，使用GaAs工艺的7~ 12GHz微波集成电路的研发，开启了该领域的新时代。采用GaAs或InP工艺的微波毫米波集成电路广泛应用于卫星通信、雷达等。2000年以后，美国、日本、韩国等相继开放了57~64GHz频段，欧洲开放了77GHz频段，进一步促进了基于CMOS工艺的单片微波毫米波集成电路的研究。

目前，低于10GHz频段的频谱资源日渐枯竭，而微波毫米波频段可以提供更多的未分配频谱资源，因此，无线系统的工作频段将逐步向高于60GHz的微波中高频段发展。而工艺技术的进步，为这种发展提供了技术支撑，其中CMOS工艺速度不断提高，结合其高集成度的特点，面向微波毫米波集成电路的CMOS工艺技术将得到更快的发展。