• 传统ALD及PE-ALD的原理

传统ALD是用热能驱动前驱物完成反应，与其他薄膜成长方式相比属于低温沉积设备。

PE-ALD的制程环境温度更低，可以制作特殊薄膜材料。

氧化铝薄膜制程

（水H₂O + Al(CH₃)₃）

1. 将第一种前驱物注入系统中并吸附于基板表面：

注入前驱物TMAl与基板表面的羟基（-OH）反应释放出甲基分子（-CH₄）。该反应有自限表面反应特性，多余前驱物不会再吸附在 Al(CH₃)₂分子表面；

2. 清除多余未反应的前驱物及副产物：

持续注入惰性气体以及pump的抽气，将未反应的前驱物及副产物带出chamber

3. 将第二种前驱物注入系统并吸附于基板表面：

水和吸附于表面的Al(CH₃)₂分子反应，形成甲基形成副产物，同时形成Al-O-Al键结并提供新的羟基作为下次TMAl反应的键结位置。

4. 清除多余未反应的前驱物及副产物。

其他材料如氮化物和硫化物具有相似的机制，借由前驱化学特性吸附于特定的官能基上，形成选择性薄膜成长机制及具有饱和机制的可控制单一原子层成长条件。