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集成电路中的硅基器件—全耗尽型SOI（FD- SOI）

绝缘体上硅（SOI）硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。随着集成电路技术的发展，体硅衬底CMOS集成电路面临着诸多挑战，如寄生闩锁效应（Latch-Up Effect）、短沟道效应、泄漏电流增大、阈值电压漂移、寄生电容增大等，SOI集成电路则可减少上述困扰。

10
2022-09

集成电路中的硅基器件—鳍式场效应晶体管FinFET

鳍式场效应晶体管（FinFET）是立体多栅器件的一种，其主要特征是由鱼鳍形（Fin）的薄层硅构成折叠的导电通道，并由双面或三面折叠包围的栅极控制，如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力，可以保证器件工作于全耗尽状态。

09
2022-09

集成电路中的硅基器件—MOS场效应晶体管

 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）是集成电路最重要的基本单元。金属、氧化物、半导体在MOSFET中分别作为栅极、栅介质、沟道及源漏，通过栅电压的变化改变沟道区的积累、耗尽和反型，使得晶体管实现开关功能。…

08
2022-09

2nm那么难，日本成吗？

美国于近日确立了促进国内半导体生产的法案“CHIPS and Science Act（CHIPS法案）”，但三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）等韩国半导体厂家是否接受美国政府的资金援助，还是未知数。

08
2022-09

集成电路中的硅基器件—双极晶体管BJT

体硅衬底和绝缘体上硅（Silicon on Insulator,SOI）衬底是硅基集成电路制造业最基本的原材料。关于多晶硅材料制备、硅单晶制备、硅圆片制备、硅圆片外延、绝缘体上硅和硅片材料检测等相关知识。

07
2022-09

集成电路制造技术的演进—前段、中段、后段工艺

 集成电路制造工艺一般分为前段（Front End of Line, FEOL）和后段（Back End of Line, BEOL）。前段工艺一般是指晶体管等器件的制造过程，主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺。

06
2022-09

集成电路制造技术的演进—技术路线图

 技术路线图是指集成电路相关行业协会或企业制定的未来一段时间内技术发展预测蓝图，一般分为长期和短期两种路线图。集成电路制造是一个发展迅速且高度复杂的过程，产业链分工较细，制造企业需要面对不同的设计客户，并在生产中用到不同厂商的设备、软件及原材料。

05
2022-09

集成电路制造技术的演进—摩尔定律和工艺微缩

 工艺微缩是集成电路制造技术发展的最重要的特征之一。集成电路（又称芯片）是将微型化的晶体管、电阻器（简称电阻）、电容器（简称电容）、电感器（简称电感）等元器件，以及器件之间的互连线，通过半导体工艺集成在晶片表面上的具有特定功能的电路，因此集成电路与工艺微…

03
2022-09

可编程逻辑电路设计—可靠性设计

 负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,NBTI）、热载流子注入（Hot Carrier Injection,HCI）效应、电迁移（Electromigration,EM）效应、静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）和辐射效应等因素对于集成电路的可靠性有很大影响。可靠性设计就是通…

02
2022-09

可编程逻辑电路设计—成品率设计

 随着集成电路工艺进入纳米尺度，复杂工艺的采用使得工艺偏差日益严重。工艺偏差是指在集成电路制造过程中，电路几何和电学参数的随机波动。

01
2022-09

可编程逻辑电路设计—可制造性设计DFM

在一般工业中，可制造性设计（Design for Manufacturability,DFM）是指一套应用于产品设计阶段的方法，其在设计的早期阶段，就考虑产品制造过程中的困难、要求和约束等，使得最终产品具有良好的可制造性和成品率，能以最低成本、最短时间、最高质量被制造出来。

31
2022-08

可编程逻辑电路设计—时序与功耗分析工具

 时序分析工具用来检查同步电路设计是否满足给定的时序约束（包括建立时间Setup约束、保持时间Hold约束等），分为静态时序分析（Static Timing Analysis, DTA）两种方法。

30
2022-08

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