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集成电路中的硅基器件—全耗尽型SOI（FD- SOI）

绝缘体上硅（SOI）硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。随着集成电路技术的发展，体硅衬底CMOS集成电路面临着诸多挑战，如寄生闩锁效应（Latch-Up Effect）、短沟道效应、泄漏电流增大、阈值电压漂移、寄生电容增大等，SOI集成电路则可减少上述困扰。

10
2022-09

集成电路中的硅基器件—鳍式场效应晶体管FinFET

鳍式场效应晶体管（FinFET）是立体多栅器件的一种，其主要特征是由鱼鳍形（Fin）的薄层硅构成折叠的导电通道，并由双面或三面折叠包围的栅极控制，如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力，可以保证器件工作于全耗尽状态。

09
2022-09

USB发展简史：从“通用”走向通用

 改变生活”这句话向来都不是随便说说的。经过数十年发展，过去的有些技术已经悄无声息得融入到我们日常生活中，从某种意义上来说，越是被人们认为是理所应当的存在，越是说明了那些技术对人们生活的重要性，USB就是一个很好的例子。

09
2022-09

集成电路中的硅基器件—MOS场效应晶体管

 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）是集成电路最重要的基本单元。金属、氧化物、半导体在MOSFET中分别作为栅极、栅介质、沟道及源漏，通过栅电压的变化改变沟道区的积累、耗尽和反型，使得晶体管实现开关功能。…

08
2022-09

2nm那么难，日本成吗？

美国于近日确立了促进国内半导体生产的法案“CHIPS and Science Act（CHIPS法案）”，但三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）等韩国半导体厂家是否接受美国政府的资金援助，还是未知数。

08
2022-09

集成电路中的硅基器件—双极晶体管BJT

体硅衬底和绝缘体上硅（Silicon on Insulator,SOI）衬底是硅基集成电路制造业最基本的原材料。关于多晶硅材料制备、硅单晶制备、硅圆片制备、硅圆片外延、绝缘体上硅和硅片材料检测等相关知识。

07
2022-09

艾迈斯欧司朗，用传感器助力手机创新

 在完成了对OSARM的收购之后，新的ams OSRAM（艾迈斯欧司朗）以一副全新的面貌出现在大家面前。首先从营收数据上看，在2022上半年，艾迈斯欧司朗营收24.29亿欧元，当中更以半导体业务对公司贡献最大。

07
2022-09

集成电路制造技术的演进—前段、中段、后段工艺

 集成电路制造工艺一般分为前段（Front End of Line, FEOL）和后段（Back End of Line, BEOL）。前段工艺一般是指晶体管等器件的制造过程，主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺。

06
2022-09

淘汰赛开打，国产芯片公司的五种“死法”

以终为始，方得始终。从开始就要考虑到最终的结果，中国市场最终不需要那么多芯片公司，大浪淘沙，胜者为王。

06
2022-09

集成电路制造技术的演进—技术路线图

 技术路线图是指集成电路相关行业协会或企业制定的未来一段时间内技术发展预测蓝图，一般分为长期和短期两种路线图。集成电路制造是一个发展迅速且高度复杂的过程，产业链分工较细，制造企业需要面对不同的设计客户，并在生产中用到不同厂商的设备、软件及原材料。

05
2022-09

特斯拉自研芯片架构带来的启示

 如果我们说特斯拉只对机器学习感兴趣是轻描淡写的。事实上这家电动汽车制造商建造了一台名为 Dojo 的内部超级计算机，针对训练其机器学习模型进行了优化。

05
2022-09

集成电路制造技术的演进—后摩尔定律时代的工艺

 后摩尔定律时代或后摩尔时代是指集成电路产业和技术在摩尔定律“失效”后所面临的新时代，此时集成电路的发展不再严格遵循摩尔定律所预言的规律。摩尔定律提出半个多世纪以来，已经不止一次被预言即将失效；然而在实际发展中，从事集成电路技术研发的科学家和工程师们每次…

04
2022-09

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