湿法工艺是指在集成电路制造过程中需要使用化学药液的工艺，主要有湿法清洗、化学机械抛光、无应力抛光和电镀四大类。湿法清洗是指针对不同的工艺需求，采用特定的化学药液和去离子水，对圆片表面进行无损伤清洗，以去除集成电路制造过程中的颗粒、自然氧化层有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质。表8-46列出了湿法清洗去除物质的种类、来源及其主要危害。

为了获得高成品率、高性能的器件，必须在集成电路制造过程中将圆片表面的上述6种物质控制在工艺要求的指标范围内。现阶段，关键技术节点已小于28nm,对圆片表面污染物控制的指标越来越高，因此每个工艺前都需要步清洗工艺。为了去除表8-46中所列的不同物质，需要根据其理化特点采用不同的化学药液配合物理辅助方式来实施，针对不同物质的去除所需使用的化学药液的种类见表8-47。

表中，SPM是硫酸(H2SO2)、 过氧化氢(H202) 和去离子水的混合物，主要用于清洗有机物; SCI是氨水(NH,OH)、 H202 和去离子水的混合物，主要用于清洗颗粒; SC2是盐酸(HCI)、 H2O2和去离子水的混合物，主要用于清洗金属污染物; DHF是稀释的氢氟酸(HF)， 主要用于二氧化硅(SiO2) 的刻蚀;BHF是稀释的HF缓冲溶液，主要用于有图形圆片的SO,刻蚀:DIO,是臭氧水，主要用于清洗有机物:H,PO,是磷酸，主要用于氮化硅(Si,N)的刻蚀: H+HNo,是H和硝放(HNO,)的混合物，主要用于Si的刻蚀:TIAH是四甲基氨氧化较，主要用于 Si的刻蚀:溶利关清洗液(sue)主要用于去除接触金属的有机物。根据不同的清洗工艺需求，可配合使用的物理辅助方式主要有液体快速循环流动、兆声波和氮气辅助喷射清洗等。从集成电路制造技术诞生以来，主要由槽式清洗机和精式刻蚀机来完成圆片的清洗及薄膜刻蚀工艺。该技术是由美国无线电公司(RCA)于1970年提出的，它是通过多个化学槽体、去离子水槽体和干燥槽体的配合使用，完成圆片清洗及刻蚀工艺。该工艺具备工艺窗口大、操作简便、产能大等优点，一直延用至今。

随着集成电路线宽的不断缩小，对颗粒大小及数量、刻蚀速率及均一性、金属污染控制、表面粗糙度、圆片单面工艺等的要求越来越严格，陆续出现了单圆片清洗机、单圆片刷洗机、单圆片刻蚀机、单槽体圆片清洗机、低温超临界圆片清洗机等多种清洗机。化学机械抛光是指圆片表面材料与研磨液发生化学反应时，在研磨头下压力的作用下进行抛光，使圆片表面平坦化的过程。圆片表面材料包括多晶硅、

二氧化硅、金属钨、金属铜等，与之相对应的是不同种类的研磨液。

化学机械抛光能够将整个圆片高低起伏的表面研磨成一致的厚度，是一种圆片全局性的平坦化工艺。无应力抛光是指在集成电路制造过程中，用于加工芯片之间互连金属线所采用的电化学抛光，此工艺不会对金属线产生机械应力，尤其不会对于线宽较小，机械强度很弱的低k:/超低k介质材料组成的金属互连结构造成形变、分层等缺陷，因此也不会导致互连结构断路或短路。

电镀是指在集成电路制造过程中，用于加工芯片之间互连金属线所采用的电化学金属沉积。随着集成电路制造工艺的不断发展，目前电镀已经不限于铜线的沉积，还涉及锡、锡银合金、镍等金属的沉积，但金属铜的沉积仍是其中最主要的部分。湿法设备是一种集合了流体力学、 化学工程、材料科学、精密加工、电子控制、计算机软件等多学科的高科技产品，是集成电路制造过程中使用比例最高的核心生产设备。