极紫外(EUV) 光刻胶指的是感光波长为13. 5mm的光刻胶材料，用于EUV光刻工艺，目前尚处于研发试生产阶段，主要致力于提高光刻胶的感光性，降低光刻胶的边缘粗糙度，减小光刻胶的气体释放等性能。

对EUV光刻胶的要求是高分辨率、高曝光灵敏度和低边缘粗糙度(LER)。 此外，还需要量产的EUV光刻胶具有超低的辐射放气量，对投影光学系统的污染轻微，且污染易去除。作为下一代光刻技术方案，预计EUV光刻胶的应用节点包括7nm及以下。

EUV光刻胶按照组成分类，可分为传统的化学放大型、分子玻璃型、金属氧化物型3种。传统的化学放大型EUV光刻胶具有曝光灵敏度高的特点，非常适合曝光功率受光源能力限制的EUV光刻技术;但由于存在酸扩散效应，分辨率较低，需要进一步改进。分子玻璃型EUV光刻胶中有保护基团的小分子有机材料，能够用旋涂工艺制备均匀无序的非晶态薄膜，同时薄膜要具有一定的热稳定性 (Tg>150度）。

但是，在线宽趋小时分子玻璃材料会发生坍塌，变形严重，难以实现更高的分辨率。金属氧化型EUV光刻胶具有较大的密度与EUV吸收截面积，在曝光过程中放气量小，且对光学元件不产生污染，在图形转移时材料本身具有优良的抗蚀性能;但是需要的曝光能量密度过大，尚需改进。图9-30所示为常见的极紫外MG/PAG bonded结构示例。