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极紫外光刻胶

信息来源:本站 | 发布日期: 2022-01-16 | 浏览量:
关键词:极紫外光刻胶

极紫外(EUV) 光刻胶指的是感光波长为13. 5mm的光刻胶材料,用于EUV光刻工艺,目前尚处于研发试生产阶段,主要致力于提高光刻胶的感光性,降低光刻胶的边缘粗糙度,减小光刻胶的气体释放等性能。


对EUV光刻胶的要求是高分辨率、高曝光灵敏度和低边缘粗糙度(LER)。 此外,还需要量产的EUV光刻胶具有超低的辐射放气量,对投影光学系统的污染轻微,且污染易去除。作为下一代光刻技术方案,预计EUV光刻胶的应用节点包括7nm及以下。


EUV光刻胶按照组成分类,可分为传统的化学放大型、分子玻璃型、金属氧化物型3种。传统的化学放大型EUV光刻胶具有曝光灵敏度高的特点,非常适合曝光功率受光源能力限制的EUV光刻技术;但由于存在酸扩散效应,分辨率较低,需要进一步改进。分子玻璃型EUV光刻胶中有保护基团的小分子有机材料,能够用旋涂工艺制备均匀无序的非晶态薄膜,同时薄膜要具有一定的热稳定性 (Tg>150度)。


但是,在线宽趋小时分子玻璃材料会发生坍塌,变形严重,难以实现更高的分辨率。金属氧化型EUV光刻胶具有较大的密度与EUV吸收截面积,在曝光过程中放气量小,且对光学元件不产生污染,在图形转移时材料本身具有优良的抗蚀性能;但是需要的曝光能量密度过大,尚需改进。图9-30所示为常见的极紫外MG/PAG bonded结构示例。




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