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离子注入制程问题讨论与分析-3

信息来源：William | 发布日期： 2020-02-13 | 浏览量：

关键词：离子注入制程问题讨论与分析-3

晶圆带电效应（Wafer charging）

应为闸极氧化层（Gate Oxide）非常薄，一旦在离子注入过程中遇到wafer表面带电，有可能会因为大量电荷离子聚集在闸级氧化层表面，使得氧化层电场升高，电子可以轻易洞穿氧化层，最后使闸极氧化层崩溃，并失去电路元件的效能。

转载请注明出处（离子注入制程问题讨论与分析-3：/companynews/422)

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