注入剂量均匀问题

当wafer表面参杂时，必须考虑参杂物在整片晶圆分布的均匀性（Uniformity），一般利用片电阻测量植入剂量是否正确。

当测量到较高片电阻时，代表参杂剂量不足，反之参杂剂量过多。

参杂剂量不均匀的可能原因为：

• 侦测电流的法拉弟系统，因为本体有漏电流，而造成不正确离子束电流的量测，所以必须经由日常PM时，确认腔体的绝缘体是清洁的。并经常清洁离子束撞击腔体产生附着在壁上的物质，以维持绝缘品质。
• 当离子束注入的入射角有偏差时，或是在反应室腔体中的wafer carrier 零度角有位移。所以，一般都会定期作wafer carrier相对于离子束的零点检查。
• 离子注入后的回火温度、时间、升温速率不正确或是wafer加热不均匀。