薄膜机台（Thin Films）1.2.6

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信息来源：本站 | 发布日期： 2020-03-04 | 浏览量：

关键词：薄膜机台（Thin Films）1.2.6

薄膜沉积速率调整

当基板温度处于低温状态下，即便有大量反应前驱物与基板表面接触，基板并无足够能量使得前驱物发生沉积反应，仅发生表面吸附（Absorption）、表面迁移（Migration）然后在基板表面脱附（Desorption），此时反应动力学处于表面反应限制条件下，直接增加前驱物浓度对成长速率并无贡献，只需要逐步提高基板温度即可增加沉积速率。
当基板温度达到一定温度以上，沉积速率不再受能量限制，最主要由前驱物传递至基板的速率所限制，所以参数调整往低压力环境下可减少前驱物的传递阻力，成为增加成长速率的方法之一。或直接增加前驱物浓度也可。

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