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离子注入机台简介-05
扫描系统(Scanning System)在离子注入中,为了能够参杂离子均匀注入到整个硅晶圆上,使得wafer表面各个部位的电路元件都可以获得相同程度的参杂量,因此离子参杂制程在每个电路元件上,都是以二维坐标的方式进行植入轰击,所以在离子注入制程手法上,必须要有一个设计精…
15
2020-01
离子注入机台-04
离子加速器(Ion Accelerator)以分析器前后区分为分析前加速(Pre-acceleration)和分析后加速(Post-acceleration)目前后段加速系统上,大致有直流加速器和射频线性加速器等设计直流加速器(DC Acceleration)射频线性加速器RF LINAC(RF Linear Accelerator)四级聚焦…
14
2020-01
离子注入机台简介-03
2.3 离子质量分析器(Ion Mass Analyzer) 萃引后离子对不同的离子并无选择能力,,但是离子注入制程中只能选择一种作为参杂源,因此为进行筛选 ,在离子注入中设计了筛选的机构,称之为离子质量分析器(Ion Mass Analyzer)。 筛选原理 是利用 不同质量与…
13
2020-01
离子注入机台简介-2
萃引电极(Exctraction Electrode)
10
2020-01
离子注入机台简介 -1
离子源
09
2020-01
离子注入机台简介-0
离子注入机(Ion Implanter)的分类可以用能量高低、电流大小来分类。基本分成:高能量、高电流、中电流三类。高能量离子注入机(High Energy Ion Implanter)可以加速离子的能量从数千电子伏特(KeV)到好几百万电子伏特(MeV)之大。大都应用于深埋层(Deep Buried Lay…
08
2020-01
离子注入1-4
1.4 通道效应(Channeling Effect)因为wafer晶体结构皆以周期性排列,当离子注入wafer的方向刚好与晶格原子的排列平行且不会有原子的阻挡,则不会产生碰撞,所以注入过程中离子会以直线方式加速向前运动,直到撞到wafer底部深处为止。此现象即为“通道效应”通道效应会对…
07
2020-01
离子注入 1-3
1.3 碰撞阻滞机制(Stopping Mechanisms)电子式碰撞当入射离子与晶格原子旁的电子产生碰撞,在过程中因为损失能量少,故离子的入射路径几乎没有变化,而晶格结构损害也会比原子式碰撞少很多。原子式碰撞当离子进入wafer时,正面迎撞晶格原子的核心,而把离子本身的能量传…
06
2020-01
离子注入1-2
1.2离子射程(Ion Range)当带有能量的参杂离子进入wafer后,与晶格碰撞多次使能量损耗最终停止在硅晶圆中,此距离可以计算得出,定义为参杂离子的投影射程(Projection Range)。一般而言,离子能量越高或原子量越小,会有较长的投影射程。而我们可以利用此概念计算预测…
03
2020-01
离子注入 1-1
1.1离子计量(Ion Dose)在wafer表面单位面积被注入的离子数可表示为: Q=It/nqAQ:离子注入计量(Atoms/cm2)I:离子束电流(Amperes=Coulomb/Second)t:离子植入时间(Second)n:参杂原子的带电量q:电荷(1.6*10-19 Coulombs)A:离子注入面积(cm2)由公…
02
2020-01
离子注入-0
相对于高温扩散制程,离子注入是一种添加制程,其方法是透过带有能量的正离子束(Ion Bean),以加速轰击的方式将参杂物注入wafer中,再利用高温回火修复被破坏的晶格,火花塞杂质以获得较佳的电导率。 常用参杂元素参杂类型参杂元素原子序原子量P型参杂硼(B)Boron…
31
2019-12
炉管设备3-4
扩散(Diffusion):温度900~1000摄氏度 早期的半导体参杂都是用高温扩散的方式,现在因为工艺要求提升所以普遍采用离子注入方式。 2. Drive In:温度400摄氏度主要目的是形成N或P井(well),也就是将离子注入所参杂的杂质用高温趋入形成2um~3um的…
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2019-12
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