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离子注入机台操作注意事项-4
机械传动的危险离子注入机在进行参杂物注入时,放置wafer的转盘是以1200rmp的高速旋转,靠近、操作、并企图在旋转中的马达下调整机台就容易发生危险
10
2020-02
离子注入机台操作注意事项-3
辐射的防护与防止当一个高能量离子束撞击到离子注入机的腔体(Chamber)、真空管件(如Valve、Bellow等)、阻挡器或晶圆,会产生X光辐射影响周围人员。因此所有离子注入机周围都必须有含铅材质的门板和墙壁。
07
2020-02
离子注入机台操作注意事项-2
高压区放电防护一般在空气中会有尖端放电的现象,称之为火花崩溃电压(Spark Breakdown Voltage),在安全规范下,每升高8kev,就必须有1cm的安全放电距离。所以,离子注入机台会产生一个200~250Kev的能量,就必须要有至少30cm以上的安全距离。在工作前,必须使用接地棒(…
06
2020-02
离子注入机台操作注意事项-1
化学气体的侦测与防护离子注入机中常见毒性物质元素参杂物来源状态症状硼(B)三氟化硼(BF3)液/气1.具有腐蚀性2.暴露其中会引起眼睛、鼻子、喉咙、肺部等发炎3.最重肺部会积水砷(As)三氢化砷(AsH3)气1.大蒜味2.暴露在500ppm下几分钟后会致命3.在空气中易爆炸4.直接…
05
2020-02
离子注入制程与量测1-2
二次离子质谱仪(Second Ion Mass Spectroscopy)该仪器是用在半导体材料分析,一般用于分析参杂元素与载子浓度纵深分布的方法。用它可以得到参杂元素在wafer内的浓度与纵深分布。基本构造可分为如下几部分:利用离子枪(Ion Gun)产生离子束,对试片正面进行离子发射。利…
04
2020-02
离子注入制程与量测-1.1
热波法(Thermal Wave)此方法一般用作离子注入之后,退火之前。属于非破坏性量测,可用于产品的晶圆上。但是,当试片是低剂量参杂注入时,热波信号的改变会变得非常不明显,量测灵敏度会降很多。一般而言,热波量测的时间与步骤和热波系统中的镭射等因素会造成量测值失真…
03
2020-02
离子注入制程的监控与量测-1
四点探针业界最常用的电阻测量方法就是利用 万用表中的正负极探针直接接触受测物体的两端,然后获得电阻值。虽然可以简单快速测量电阻,但是因为两点探针的方式,在半导体电子材料的供应上较难获得精确的电阻值。四点探针是半导体制程中最常用来测量薄片电阻的应用。因为…
02
2020-02
离子注入制程的监控与量测-0
离子注入之后需要作一些量测监控的测机工作,以维持制程的稳定性。而次步骤中参杂物的接面深度和浓度最重要,一般使用四点探针来测量wafer表面上的片电阻(Sheet Resistance),利用热波法来量测晶体损伤程度(即wafer有无被参杂),二次离子质谱仪可以应用量测离子植入w…
01
2020-02
离子注入步骤与流程
井区植入(Well Implant) 一般CMOS制作井区时会现注入深埋层(Deep Buried Layer)与退化井(Retrograde Well),以改善元件性能和闭锁(Latch-Up)问题。并减少寄生电晶体在电路元件所引起的意外通路使IC功能失效。 接面击穿(Punchthrough IMP)的注入属于中度井…
31
2020-01
离子注入制程简介
离子注入过程中必须要遵守的三大方向:参杂物类型,由离子源材料决定接面深度(Junction Depth),由离子轰击注入能量决定参杂物的浓度,由离子电流与注入时间相乘所决定因此在半导体制程中,需要很清晰的定义每一区的参杂浓度与接面深度,就必须准确控制注入的能量和电流…
20
2020-01
离子注入机台简介-07
离子电流控制系统(Ion Bean Current Control System)在离子注入过程中,存在一个计量控制器(Dose Controller)以同时控制离子束的计量和注入参杂物条件的计算系统组合。它可以利用收集到的离子束电流,用积分器的原理来计算,最后获得注入wafer的剂量与注入的总时间。…
17
2020-01
离子注入机台-06
电荷中性化系统(Charge Neutralization System) 离子注入制程是将带有正电荷的离子束轰击并注入wafer表面,但是当wafer表面正电荷快速累积的时候,就可能会导致wafer表面开始有充电(wafer charge)现象出现。当wafer表面的正电荷累积过多时,会与正在进入wafer表面…
16
2020-01
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