匀胶铬版光掩模是在平整的光掩模基板玻璃上通过蒸发或溅射沉积上厚约0. 1μm的铬-氧化铬膜而形成镀铬基板，再涂敷一层光刻胶或电子束抗蚀剂制成的匀胶铬版。它具有高敏感度、高分辨率、低缺陷密度的特点，是制作微细光掩模图形的理想感光性空白版。

匀胶铬版的感光特性、分辨率完全取决于所涂敷的光刻胶或电子束抗蚀剂类型、品种，并通过光刻工艺得到所需的模版。在接触式光刻技术时代，用超微粒乳胶干版投片，虽然乳胶版具有制作容易、成本低的优势，但是由于其胶膜面软，存在易擦伤、沾污，清洁处理困难，使用寿命短等弱点。匀胶铬版的制作工艺相对复杂、技术难度大、成本高，但它具有分辨率高、缺陷低、耐磨、易清洁处理、使用寿命长的优势，适用于制作高精度、超微细图形，现已逐渐替代接触式乳胶干版掩模，成为集成电路掩模的关键材料。

匀胶铬版光掩模在刻蚀铬层后可生成简单的由黑区和白区组合的二元图像，因此也被称为二元掩模( Binary Intensity Mask, BIM),其曝光原理如图9-25所示。图中所示的是传统穿透式掩模，黑区完全不透光，白区完全透光，激光穿透白区作用在硅片相应位置上，使光刻胶反应产生光酸，通过后续的显影工艺将其去除或保留(取决于光刻胶是正型或负型的)后形成图像。匀胶铬版光掩模可应用的光学范围很广，覆盖了g线、i线，以及包括KrF (波长248nm)和ArF波长193nm) 的深紫外(Deep Ultraviolet, DUV)光刻工艺，曝光光源的波长极限决定了关键尺寸的技术节点。