电荷中性化系统（Charge Neutralization System）

    离子注入制程是将带有正电荷的离子束轰击并注入wafer表面，但是当wafer表面正电荷快速累积的时候，就可能会导致wafer表面开始有充电（wafer charge）现象出现。当wafer表面的正电荷累积过多时，会与正在进入wafer表面的正电荷相斥，会造成离子束慢慢的扩大（Blowup），最后导致参杂物不均匀。

    当wafer表面正电荷累积过多时，会使电路元件产生两个重大问题：

1. 当正电荷大量累积时，会引起一个很大的电场，足以使wafer上的闸极氧化层（Gate Oxide）崩溃，使得电路元件漏电或无法发挥充放电作用。
2. 当正电荷大量累积时，会以电弧的形态放电（Arcing），而因放电产生的火花会是wafer表面元件产生缺陷（Defect）

而改善方法如下：

1. 电浆中和系统

在离子束前进途中，wafer表面前，提供电子来中和过多的正离子以改善表面充电现象。

2. 电子中和系统

将钨灯丝加热所产生的电子，以高能量的方式加速到对向的靶材上，再经过碰撞后产生大量二次电子，参杂离子束一起流向wafer表面并中和过多的正离子。