• 井区植入（Well Implant）

    一般CMOS制作井区时会现注入深埋层（Deep Buried Layer）与退化井（Retrograde Well），以改善元件性能和闭锁（Latch-Up）问题。并减少寄生电晶体在电路元件所引起的意外通路使IC功能失效。

   接面击穿（Punchthrough IMP）的注入属于中度井区注入（Mid-Well），主要用来抑制通道微缩后所产生的漏电造成接面击穿，导致电晶体崩溃。

• 临界电压调整（Threshold Voltage Implant Adjust）

    当施加一定电压在闸极时，源极和汲极之间会有通道产生。是故可以用低能量、低剂量的离子注入，控制临界电压（Vth）大小控制闸极何时开闭。

• 轻参杂汲区（Lightly Doped Drain）

    是低能量、低电流的离子注入制程，以闸极结构为基准，参杂在闸极通道两侧，源极和汲极旁。用来抑制通道的热电子效应（Hot Electron Effect）。

• 源极/汲极注入（Source/Drain Implant）

    利用高电流离子注入机参杂，通常用磷（P）或砷（As）注入n通道（N-channel）电晶体形成n型源极与汲极区，而硼则用于P通道（P-channnel）电晶体，形成p型源极与汲极区。

    在半导体制程皆采用BF2+离子完成p+源极与汲极。

• 多晶硅闸级（Polysilicon Gate）

    一般为了改善多晶硅闸极的导电性（Conductance），就必须要对闸极进行离子参杂。在传统制程皆以n+参杂物作为离子注入的源材料，同时应用于N型和P型MOS，以降低阻抗（Resistance）增加导电性