离子注入之后需要作一些量测监控的测机工作，以维持制程的稳定性。而次步骤中参杂物的接面深度和浓度最重要，一般使用四点探针来测量wafer表面上的片电阻（Sheet Resistance），利用热波法来量测晶体损伤程度（即wafer有无被参杂），二次离子质谱仪可以应用量测离子植入wafer的深度，即证明机台高压能量的准确度。