2-0 简介

CVD利用气态反应物与基板表面发生沉积镀膜过程。化学气相沉积设备包含所有的常压与低压炉管，为了不同的制程需求又分为高真空或超高真空化学气相沉积系统或磊晶系统、电浆辅助化学气相沉积（Plasma Enhance CVD、PECVD）、原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition，ALD）、分子束磊晶系统（Molecular Beam Epitaxy，MBE）、有机金属化学气相沉积系统（Metal-Organic CVD，MOCVD）等。