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薄膜机台（Thin Films）1.2.1

信息来源：本站 | 发布日期： 2020-02-26 | 浏览量：

关键词：薄膜机台（Thin Films）1.2.1

电浆辅助化学气相沉积（PECVD）-0

电浆辅助化学气相沉积（PECVD）主要是为了降低反应所需温度来达到降低制程热预算（Thermal Budget）为目的所发展出的低温沉积技术，在完成离子注入活化制程后与多层金属连线制程非常重要。

从下表格中可以轻松判断一般CVD制程与电浆辅助化学气相沉积（PECVD）对制程温度的要求差异。


薄膜	反应式	沉积温度（LPCVD）	沉积温度（PECVD）
Si₃N₄	SiH₄+NH₃——>Si₃N₄	850摄氏度	200～400摄氏度
SiO₂	SiH₄+N₂O——>SiO₂	800摄氏度	200～400摄氏度
SiO₂	TEOS+O₂——>SiO₂	720摄氏度	350摄氏度

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