1. 氮化硅（SiN₄）沉积反应

反应前驱物SiH4和NH3是沉积氮化硅（SiN₄）的主要气体组合，经过电浆活化后的可能前驱反应物为SiH3、SiH2、和NH，基板温度控制在250～500摄氏度，反应压力控制在0.5～3Torr，一般由电浆辅助化学气相沉积的氮化硅薄膜（PE-Nitride）。

PE-Nitride薄膜含有大量氢原子，因为前驱物含有大量氢键，而我们可以使用高密度电浆源技术减少氢原子含量。另外，PE-Nitride薄膜具有应力可控制的特性，使用低频电浆源可产生压应力的薄膜，而使用高频电浆源可产生拉应力薄膜。

PE-Nitride常用于表面保护层、蚀刻终止层、扩散阻挡层，在薄膜电晶体领域也可用于低温介电闸极层。