1. 氧化硅（SiO₂）沉积反应

TEOS是目前CVD制程使用最频繁的有机硅源，TEOS沸点较高（常压168摄氏度），一般以液态形式存储并搭配载气（Carrier Gas）使用，通常对装盛的不锈钢容器恒温加热增加其饱和蒸气压与维持浓度稳定性。

 常用载气一般是稳定的氩气和氮气，通入一定量的载气进入容器会携带出所需要的TEOS浓度，搭配额外的氧原子前驱物来源有O2、NO货N2O，在气体分配盘中混合后进入电浆腔体，由电浆活化前驱物后在基板表面发生化学气相沉积反应。