二次离子质谱仪（Second Ion Mass Spectroscopy）

该仪器是用在半导体材料分析，一般用于分析参杂元素与载子浓度纵深分布的方法。用它可以得到参杂元素在wafer内的浓度与纵深分布。

基本构造可分为如下几部分：

1. 利用离子枪（Ion Gun）产生离子束，对试片正面进行离子发射。
2. 利用能量分析仪来筛选由试片表面产生的二次离子信号。
3. 利用质谱仪进行质量筛选的方式收集二次离子信号。
4. 利用电脑系统放大、检查经选择后的二次离子检测输出信号。

其工作原理是离子枪发射带有足够能量的一次离子（Primary Ion），入射到wafer试片到表面，经过撞击后wafer表面会有原子或分子撞出，为二次离子（Second Ion），并利用质谱仪收集，最后经质谱仪和电脑软件分析计算，得到三种信号：二次离子的质谱、纵深分布、分布影像，以作wafer表面成分元素之定性及定量的分析研究。